MBR600200CTR - DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

codice articolo del costruttore

MBR600200CTR

Numero parte interna

ABC-MBR600200CTR

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

37179 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per MBR600200CTR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MBR600200CTR

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Serie : -

Stato parte : Active

Configurazione diodi : 1 Pair Common Anode

Diodo : Schottky

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V

Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) : 300A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 300A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 3mA @ 200V

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : Twin Tower

Pacchetto dispositivo fornitore : Twin Tower

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MBR6 , MBR600

Documenti per MBR600200CTR

Schede tecniche : MBR600200CTR.pdf

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