IRF7341PBF - MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

IRF7341PBF

Numero parte interna

ABC-IRF7341PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

48984 Pieces

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Specifiche per IRF7341PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF7341PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 25V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRF73

Documenti per IRF7341PBF

Schede tecniche : IRF7341PBF.pdf

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