SSM6K411TU(TE85L,F - MOSFET N-CH 20V 10A

codice articolo del costruttore

SSM6K411TU(TE85L,F

Numero parte interna

ABC-SSM6K411TU(TE85L,F

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 10A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

93408 Pieces

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Specifiche per SSM6K411TU(TE85L,F

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SSM6K411TU(TE85L,F

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 10A

Serie : U-MOSIV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : UF6

Pacchetto / caso : 6-SMD, Flat Leads

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SSM6K4 , SSM6K411T

Documenti per SSM6K411TU(TE85L,F

Schede tecniche : SSM6K411TU(TE85L,F.pdf

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