NDD03N80Z-1G - MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

codice articolo del costruttore

NDD03N80Z-1G

Numero parte interna

ABC-NDD03N80Z-1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

87264 Pieces

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Specifiche per NDD03N80Z-1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NDD03N80Z-1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 96W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I-PAK

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NDD0 , NDD03N

Documenti per NDD03N80Z-1G

Schede tecniche : NDD03N80Z-1G.pdf

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