CDBGBSC20650-G - DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

codice articolo del costruttore

CDBGBSC20650-G

Numero parte interna

ABC-CDBGBSC20650-G

fabbricante

Comchip Technology

Breve descrizione

DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

146200 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 2.55859~~

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Specifiche per CDBGBSC20650-G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CDBGBSC20650-G

fabbricante : Comchip Technology

Descrizione : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

Serie : -

Stato parte : Active

Configurazione diodi : 1 Pair Common Cathode

Diodo : Silicon Carbide Schottky

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V

Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) : 33A (DC)

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A

Velocità : No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 100µA @ 650V

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CDBG , CDBGBSC

Documenti per CDBGBSC20650-G

Schede tecniche : CDBGBSC20650-G.pdf

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