SI2312BDS-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

codice articolo del costruttore

SI2312BDS-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI2312BDS-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3708432 Pieces

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Specifiche per SI2312BDS-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI2312BDS-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.9A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 850mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 750mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI231 , SI2312BD

Documenti per SI2312BDS-T1-GE3

Schede tecniche : SI2312BDS-T1-GE3.pdf

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