TK14G65W,RQ - MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

codice articolo del costruttore

TK14G65W,RQ

Numero parte interna

ABC-TK14G65W,RQ

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

627053 Pieces

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Specifiche per TK14G65W,RQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK14G65W,RQ

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

Serie : DTMOSIV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13.7A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 690µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 300V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 130W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK1 , TK14G

Documenti per TK14G65W,RQ

Schede tecniche : TK14G65W,RQ.pdf

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