PHKD6N02LT,518 - MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1

codice articolo del costruttore

PHKD6N02LT,518

Numero parte interna

ABC-PHKD6N02LT,518

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

49465 Pieces

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Specifiche per PHKD6N02LT,518

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PHKD6N02LT,518

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 10V

Potenza - Max : 4.17W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PHKD , PHKD6N0

Documenti per PHKD6N02LT,518

Schede tecniche : PHKD6N02LT,518.pdf

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