IRFBE20STRL - MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

codice articolo del costruttore

IRFBE20STRL

Numero parte interna

ABC-IRFBE20STRL

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

102224 Pieces

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Specifiche per IRFBE20STRL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFBE20STRL

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRFBE

Documenti per IRFBE20STRL

Schede tecniche : IRFBE20STRL.pdf

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