IS43DR86400D-25DBLI-TR - IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

codice articolo del costruttore

IS43DR86400D-25DBLI-TR

Numero parte interna

ABC-IS43DR86400D-25DBLI-TR

fabbricante

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Breve descrizione

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

131968 Pieces

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Specifiche per IS43DR86400D-25DBLI-TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IS43DR86400D-25DBLI-TR

fabbricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Descrizione : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria : 512Mb (64M x 8)

Frequenza di clock : 400MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns

Tempo di accesso : 400ps

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.9V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 60-TWBGA (8x10.5)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IS43DR8 , IS43DR86400

Documenti per IS43DR86400D-25DBLI-TR

Schede tecniche : IS43DR86400D-25DBLI-TR.pdf

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WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
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