STB80N20M5 - MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK

codice articolo del costruttore

STB80N20M5

Numero parte interna

ABC-STB80N20M5

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

195272 Pieces

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Specifiche per STB80N20M5

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STB80N20M5

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK

Serie : MDmesh™ V

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 61A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 30.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 104nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4329pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 190W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STB , STB80

Documenti per STB80N20M5

Schede tecniche : STB80N20M5.pdf

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