EDB4416BBBH-1DIT-F-R - IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

codice articolo del costruttore

EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Numero parte interna

ABC-EDB4416BBBH-1DIT-F-R

fabbricante

Micron Technology Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

90288 Pieces

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Specifiche per EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EDB4416BBBH-1DIT-F-R

fabbricante : Micron Technology Inc.

Descrizione : IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria : 4Gb (256M x 16)

Frequenza di clock : 533MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -

Tempo di accesso : -

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.14V ~ 1.95V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio : -

Pacchetto / caso : -

Pacchetto dispositivo fornitore : -

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EDB441 , EDB4416BBB

Documenti per EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Schede tecniche : EDB4416BBBH-1DIT-F-R.pdf

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