SI7980DP-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

codice articolo del costruttore

SI7980DP-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI7980DP-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

47931 Pieces

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Specifiche per SI7980DP-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI7980DP-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1010pF @ 10V

Potenza - Max : 19.8W, 21.9W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI798 , SI7980D

Documenti per SI7980DP-T1-GE3

Schede tecniche : SI7980DP-T1-GE3.pdf

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