SIB914DK-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

codice articolo del costruttore

SIB914DK-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIB914DK-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

50726 Pieces

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Specifiche per SIB914DK-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIB914DK-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 125pF @ 4V

Potenza - Max : 3.1W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-75-6L Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-75-6L Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIB91 , SIB914D

Documenti per SIB914DK-T1-GE3

Schede tecniche : SIB914DK-T1-GE3.pdf

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