SI1404BDH-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

codice articolo del costruttore

SI1404BDH-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI1404BDH-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

2736251 Pieces

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Specifiche per SI1404BDH-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI1404BDH-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 238 mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 100pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-70-6 (SOT-363)

Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI140 , SI1404BD

Documenti per SI1404BDH-T1-GE3

Schede tecniche : SI1404BDH-T1-GE3.pdf

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