FDC642P - MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6

codice articolo del costruttore

FDC642P

Numero parte interna

ABC-FDC642P

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3477915 Pieces

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Specifiche per FDC642P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDC642P

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 925pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.6W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT™-6

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per FDC642P

Schede tecniche : FDC642P.pdf

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