VS-GB90SA120U - TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

codice articolo del costruttore

VS-GB90SA120U

Numero parte interna

ABC-VS-GB90SA120U

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

45152 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 33.12194~~

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Specifiche per VS-GB90SA120U

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : VS-GB90SA120U

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo IGBT : NPT

Configurazione : Single

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 149A

Potenza - Max : 862W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 75A

Corrente - Limite del collettore (max) : 250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce : -

Ingresso : Standard

Termistore NTC : No

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : SOT-227-4

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : VS-G , VS-GB9

Documenti per VS-GB90SA120U

Schede tecniche : VS-GB90SA120U.pdf

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