RSJ650N10TL - MOSFET N-CH 100V 65A LPTS

codice articolo del costruttore

RSJ650N10TL

Numero parte interna

ABC-RSJ650N10TL

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 65A LPTS

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

212541 Pieces

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Specifiche per RSJ650N10TL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RSJ650N10TL

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 65A LPTS

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 65A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 10780pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : LPTS

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RSJ , RSJ65

Documenti per RSJ650N10TL

Schede tecniche : RSJ650N10TL.pdf

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