DS1230Y-200IND - IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

codice articolo del costruttore

DS1230Y-200IND

Numero parte interna

ABC-DS1230Y-200IND

fabbricante

Maxim Integrated

Breve descrizione

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

59074 Pieces

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Specifiche per DS1230Y-200IND

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DS1230Y-200IND

fabbricante : Maxim Integrated

Descrizione : IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo di memoria : Non-Volatile

Formato di memoria : NVSRAM

Tecnologia : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria : 256Kb (32K x 8)

Frequenza di clock : -

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 200ns

Tempo di accesso : 200ns

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 4.5V ~ 5.5V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore : 28-EDIP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DS12 , DS1230Y

Documenti per DS1230Y-200IND

Schede tecniche : DS1230Y-200IND.pdf

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