STH315N10F7-2 - MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

codice articolo del costruttore

STH315N10F7-2

Numero parte interna

ABC-STH315N10F7-2

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

210136 Pieces

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Specifiche per STH315N10F7-2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STH315N10F7-2

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

Serie : Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 12800pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 315W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : H2Pak-2

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STH3 , STH315

Documenti per STH315N10F7-2

Schede tecniche : STH315N10F7-2.pdf

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