SI7956DP-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

codice articolo del costruttore

SI7956DP-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI7956DP-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

367402 Pieces

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Specifiche per SI7956DP-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI7956DP-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 1.4W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI795 , SI7956D

Documenti per SI7956DP-T1-GE3

Schede tecniche : SI7956DP-T1-GE3.pdf

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