TPC8212-H(TE12LQ,M - MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

codice articolo del costruttore

TPC8212-H(TE12LQ,M

Numero parte interna

ABC-TPC8212-H(TE12LQ,M

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

50778 Pieces

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Specifiche per TPC8212-H(TE12LQ,M

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPC8212-H(TE12LQ,M

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 10V

Potenza - Max : 450mW

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP (5.5x6.0)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per TPC8212-H(TE12LQ,M

Schede tecniche : TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf

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