SSM6J212FE,LF - MOSFET P-CH 20V 4A ES6

codice articolo del costruttore

SSM6J212FE,LF

Numero parte interna

ABC-SSM6J212FE,LF

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 4A ES6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4223541 Pieces

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Specifiche per SSM6J212FE,LF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SSM6J212FE,LF

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 4A ES6

Serie : U-MOSVI

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 970pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : ES6

Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SSM6 , SSM6J2

Documenti per SSM6J212FE,LF

Schede tecniche : SSM6J212FE,LF.pdf

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