IRFBG30 - MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

codice articolo del costruttore

IRFBG30

Numero parte interna

ABC-IRFBG30

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

100216 Pieces

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Specifiche per IRFBG30

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFBG30

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 980pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IR , IRF

Documenti per IRFBG30

Schede tecniche : IRFBG30.pdf

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