PHT11N06LT,135 - MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223

codice articolo del costruttore

PHT11N06LT,135

Numero parte interna

ABC-PHT11N06LT,135

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

79821 Pieces

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Specifiche per PHT11N06LT,135

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PHT11N06LT,135

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.9A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±13V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-223

Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PHT1 , PHT11N0

Documenti per PHT11N06LT,135

Schede tecniche : PHT11N06LT,135.pdf

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