APTM100A13DG - MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

codice articolo del costruttore

APTM100A13DG

Numero parte interna

ABC-APTM100A13DG

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

30090 Pieces

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Specifiche per APTM100A13DG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APTM100A13DG

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 65A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 562nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 15200pF @ 25V

Potenza - Max : 1250W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : SP6

Pacchetto dispositivo fornitore : SP6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APTM , APTM10

Documenti per APTM100A13DG

Schede tecniche : APTM100A13DG.pdf

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