ZXMHC6A07N8TC - MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

codice articolo del costruttore

ZXMHC6A07N8TC

Numero parte interna

ABC-ZXMHC6A07N8TC

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1254106 Pieces

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Specifiche per ZXMHC6A07N8TC

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ZXMHC6A07N8TC

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.39A, 1.28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 166pF @ 40V

Potenza - Max : 870mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ZXMH , ZXMHC6

Documenti per ZXMHC6A07N8TC

Schede tecniche : ZXMHC6A07N8TC.pdf

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