HN3C10FUTE85LF - RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

codice articolo del costruttore

HN3C10FUTE85LF

Numero parte interna

ABC-HN3C10FUTE85LF

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

89919 Pieces

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Specifiche per HN3C10FUTE85LF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : HN3C10FUTE85LF

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

Serie : -

Stato parte : Active

Transistor Type : 2 NPN (Dual)

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 12V

Frequenza - Transizione : 7GHz

Figura del rumore (dB Typ @ f) : 1.1dB @ 1GHz

Guadagno : 11.5dB

Potenza - Max : 200mW

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 20mA, 10V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 80mA

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore : US6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : HN3C , HN3C10F

Documenti per HN3C10FUTE85LF

Schede tecniche : HN3C10FUTE85LF.pdf

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