SPU18P06P - MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251

codice articolo del costruttore

SPU18P06P

Numero parte interna

ABC-SPU18P06P

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

104920 Pieces

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Specifiche per SPU18P06P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SPU18P06P

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18.6A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO251-3

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SPU , SPU1

Documenti per SPU18P06P

Schede tecniche : SPU18P06P.pdf

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