NP90N04VUG-E1-AY - MOSFET N-CH TO-252

codice articolo del costruttore

NP90N04VUG-E1-AY

Numero parte interna

ABC-NP90N04VUG-E1-AY

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH TO-252

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

51392 Pieces

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Specifiche per NP90N04VUG-E1-AY

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NP90N04VUG-E1-AY

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH TO-252

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 135nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7500pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.2W (Ta), 105W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NP90N , NP90N04V

Documenti per NP90N04VUG-E1-AY

Schede tecniche : NP90N04VUG-E1-AY.pdf

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