HUF76419S3ST-F085 - MOSFET N-CH 60V 29A TO-263AB

codice articolo del costruttore

HUF76419S3ST-F085

Numero parte interna

ABC-HUF76419S3ST-F085

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 29A TO-263AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

79360 Pieces

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Specifiche per HUF76419S3ST-F085

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : HUF76419S3ST-F085

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 29A TO-263AB

Serie : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 28.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : HUF76 , HUF76419

Documenti per HUF76419S3ST-F085

Schede tecniche : HUF76419S3ST-F085.pdf

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