CSD19536KTTT - MOSFET N-CH 100V 200A TO263

codice articolo del costruttore

CSD19536KTTT

Numero parte interna

ABC-CSD19536KTTT

fabbricante

T-I

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

170752 Pieces

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Specifiche per CSD19536KTTT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD19536KTTT

fabbricante : T-I

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 153nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 12000pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 375W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DDPAK/TO-263-3

Pacchetto / caso : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CSD1 , CSD195

Documenti per CSD19536KTTT

Schede tecniche : CSD19536KTTT.pdf

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