DMN2013UFX-7 - MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

codice articolo del costruttore

DMN2013UFX-7

Numero parte interna

ABC-DMN2013UFX-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2083998 Pieces

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Specifiche per DMN2013UFX-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN2013UFX-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 57.4nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2607pF @ 10V

Potenza - Max : 2.14W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : W-DFN5020-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN2 , DMN201

Documenti per DMN2013UFX-7

Schede tecniche : DMN2013UFX-7.pdf

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