NVMFD5873NLT1G - MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL

codice articolo del costruttore

NVMFD5873NLT1G

Numero parte interna

ABC-NVMFD5873NLT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

599697 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per NVMFD5873NLT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVMFD5873NLT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1560pF @ 25V

Potenza - Max : 3.1W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVMF , NVMFD58

Documenti per NVMFD5873NLT1G

Schede tecniche : NVMFD5873NLT1G.pdf

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