RQ3E100BNTB - MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

codice articolo del costruttore

RQ3E100BNTB

Numero parte interna

ABC-RQ3E100BNTB

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6103951 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per RQ3E100BNTB

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RQ3E100BNTB

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-HSMT (3.2x3)

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RQ3 , RQ3E1

Documenti per RQ3E100BNTB

Schede tecniche : RQ3E100BNTB.pdf

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