SSM6N61NU,LF - MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

codice articolo del costruttore

SSM6N61NU,LF

Numero parte interna

ABC-SSM6N61NU,LF

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4354161 Pieces

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Specifiche per SSM6N61NU,LF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SSM6N61NU,LF

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate, 1.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 410pF @ 10V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-UDFNB (2x2)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SSM6 , SSM6N6

Documenti per SSM6N61NU,LF

Schede tecniche : SSM6N61NU,LF.pdf

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