TSM180N03PQ33 RGG - MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN

codice articolo del costruttore

TSM180N03PQ33 RGG

Numero parte interna

ABC-TSM180N03PQ33 RGG

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4063619 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per TSM180N03PQ33 RGG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM180N03PQ33 RGG

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 345pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 21W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PDFN (3x3)

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM18 , TSM180N0

Documenti per TSM180N03PQ33 RGG

Schede tecniche : TSM180N03PQ33 RGG.pdf

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