DMP56D0UFB-7 - MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

codice articolo del costruttore

DMP56D0UFB-7

Numero parte interna

ABC-DMP56D0UFB-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

5089791 Pieces

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Specifiche per DMP56D0UFB-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMP56D0UFB-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 100mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.58nC @ 4V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 50.54pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 425mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 3-DFN1006 (1.0x0.6)

Pacchetto / caso : 3-UFDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMP5 , DMP56D

Documenti per DMP56D0UFB-7

Schede tecniche : DMP56D0UFB-7.pdf

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