SIA915DJ-T4-GE3 - MOSFET 2P-CH 30V SC70-6

codice articolo del costruttore

SIA915DJ-T4-GE3

Numero parte interna

ABC-SIA915DJ-T4-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2P-CH 30V SC70-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

54132 Pieces

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Specifiche per SIA915DJ-T4-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIA915DJ-T4-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2P-CH 30V SC70-6

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.7A (Ta), 4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 87 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 275pF @ 15V

Potenza - Max : 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIA91 , SIA915D

Documenti per SIA915DJ-T4-GE3

Schede tecniche : SIA915DJ-T4-GE3.pdf

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