SI3459BDV-T1-GE3 - MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

codice articolo del costruttore

SI3459BDV-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI3459BDV-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2242870 Pieces

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Specifiche per SI3459BDV-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI3459BDV-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 216 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta), 3.3W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI345 , SI3459BD

Documenti per SI3459BDV-T1-GE3

Schede tecniche : SI3459BDV-T1-GE3.pdf

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