IRF8707GTRPBF - MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

IRF8707GTRPBF

Numero parte interna

ABC-IRF8707GTRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3070732 Pieces

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Specifiche per IRF8707GTRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF8707GTRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.9 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF8 , IRF870

Documenti per IRF8707GTRPBF

Schede tecniche : IRF8707GTRPBF.pdf

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