BSZ018NE2LSATMA1 - MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

codice articolo del costruttore

BSZ018NE2LSATMA1

Numero parte interna

ABC-BSZ018NE2LSATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

915593 Pieces

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Specifiche per BSZ018NE2LSATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSZ018NE2LSATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta), 40A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 12V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TSDSON-8-FL

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSZ01 , BSZ018NE

Documenti per BSZ018NE2LSATMA1

Schede tecniche : BSZ018NE2LSATMA1.pdf

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