SI1912EDH-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

codice articolo del costruttore

SI1912EDH-T1-E3

Numero parte interna

ABC-SI1912EDH-T1-E3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

49725 Pieces

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Specifiche per SI1912EDH-T1-E3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI1912EDH-T1-E3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.13A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 100µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 570mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-70-6 (SOT-363)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI191 , SI1912E

Documenti per SI1912EDH-T1-E3

Schede tecniche : SI1912EDH-T1-E3.pdf

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