IRF9910TRPBF - MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

IRF9910TRPBF

Numero parte interna

ABC-IRF9910TRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1223047 Pieces

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Specifiche per IRF9910TRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF9910TRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A, 12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 10V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF9 , IRF991

Documenti per IRF9910TRPBF

Schede tecniche : IRF9910TRPBF.pdf

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