FQD7N10LTM - MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

codice articolo del costruttore

FQD7N10LTM

Numero parte interna

ABC-FQD7N10LTM

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2490103 Pieces

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Specifiche per FQD7N10LTM

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQD7N10LTM

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Serie : QFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.8A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D-Pak

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQD , FQD7N

Documenti per FQD7N10LTM

Schede tecniche : FQD7N10LTM.pdf

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