CTLDM8120-M621H TR - MOSFET P-CH 20V DFN6

codice articolo del costruttore

CTLDM8120-M621H TR

Numero parte interna

ABC-CTLDM8120-M621H TR

fabbricante

Central Semiconductor Corp

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V DFN6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

44148 Pieces

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Specifiche per CTLDM8120-M621H TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CTLDM8120-M621H TR

fabbricante : Central Semiconductor Corp

Descrizione : MOSFET P-CH 20V DFN6

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 950mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.56nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 16V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.6W (Ta)

temperatura di esercizio : -65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TLM621H

Pacchetto / caso : 6-XFDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CTLDM8 , CTLDM8120

Documenti per CTLDM8120-M621H TR

Schede tecniche : CTLDM8120-M621H TR.pdf

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