CSD86330Q3D - MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

codice articolo del costruttore

CSD86330Q3D

Numero parte interna

ABC-CSD86330Q3D

fabbricante

T-I

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

754194 Pieces

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Specifiche per CSD86330Q3D

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD86330Q3D

fabbricante : T-I

Descrizione : MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.6 mOhm @ 14A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 12.5V

Potenza - Max : 6W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-LSON (3.3x3.3)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CSD , CSD86

Documenti per CSD86330Q3D

Schede tecniche : CSD86330Q3D.pdf

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