TSM200N03DPQ33 RGG - MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

codice articolo del costruttore

TSM200N03DPQ33 RGG

Numero parte interna

ABC-TSM200N03DPQ33 RGG

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3756081 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.087145~~

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Specifiche per TSM200N03DPQ33 RGG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM200N03DPQ33 RGG

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 345pF @ 25V

Potenza - Max : 20W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PDFN (3x3)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM200 , TSM200N03

Documenti per TSM200N03DPQ33 RGG

Schede tecniche : TSM200N03DPQ33 RGG.pdf

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