CWDM3011N TR13 - MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

codice articolo del costruttore

CWDM3011N TR13

Numero parte interna

ABC-CWDM3011N TR13

fabbricante

Central Semiconductor Corp

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2821763 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per CWDM3011N TR13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CWDM3011N TR13

fabbricante : Central Semiconductor Corp

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.3nC @ 5V

Vgs (massimo) : 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CWDM , CWDM301

Documenti per CWDM3011N TR13

Schede tecniche : CWDM3011N TR13.pdf

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