IXTA3N110 - MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263

codice articolo del costruttore

IXTA3N110

Numero parte interna

ABC-IXTA3N110

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

147120 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 2.5425~~

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Specifiche per IXTA3N110

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTA3N110

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 150W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263 (IXTA)

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per IXTA3N110

Schede tecniche : IXTA3N110.pdf

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